

单端场效应管

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单路IGBT

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IR官网中文新闻频道:2025年6月15日IR国际整流器公司重要资讯、突发新闻
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IR推出IRFHE4250D FastIRFET双功率MOSFET,藉以扩充电源模块组件系列。新款25V器件在25A的电流下能够比其它顶级的传统电源模块产品减少5%以上的功率损耗
IR推出高性能600V超高速沟道场截止绝缘闸双极晶体管 (IGBT) IR66xx系列。坚固可靠的新系列器件提供极低的导通损耗和开关损耗,旨在为焊接应用做出优化。

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